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申请/专利权人：上海埃积半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种耐闩锁IGBT器件及其制造方法，该方法包括：在衬底的正面挖设沟槽，正面中能离子注入三价元素，高温扩散后形成位于沟槽两侧的P型CHP区域以及与沟槽底部对应的P型屏蔽区域；通过热生长在沟槽内壁形成栅极氧化层，并在沟槽内填充重掺杂的多晶硅形成多晶硅栅；在沟槽两侧形成N+发射极区域、P型CHP区域和N型CS区域依次堆叠的结构；在沟槽两侧干法刻蚀形成浅槽区域，浅槽区域穿过N+发射极区域和P型CHP区域并延伸至N型CS区域内；在浅槽区域内填充P型重掺杂的多晶硅，形成P+型多晶硅区域；在衬底正面形成正面金属区域，在衬底背面形成背面金属区域。该方案能够有效优化器件的耐闩锁能力，避免器件损坏。
主权项：1.一种耐闩锁IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：在衬底的正面挖设沟槽，并在所述衬底的正面中能离子注入三价元素，高温扩散后形成位于所述沟槽两侧的P型CHP区域以及与所述沟槽底部对应的P型屏蔽区域；通过热生长在所述沟槽内壁形成栅极氧化层，并在所述沟槽内填充重掺杂的多晶硅形成多晶硅栅；在所述P型CHP区域内形成N型CS区域和N+发射极区域，进而在所述沟槽两侧形成所述N+发射极区域、所述P型CHP区域和所述N型CS区域依次堆叠的结构；在所述沟槽两侧干法刻蚀形成浅槽区域，所述浅槽区域穿过所述N+发射极区域和所述P型CHP区域并延伸至所述N型CS区域内；在所述浅槽区域内填充P型重掺杂的多晶硅，形成P+型多晶硅区域；在所述衬底的正面金属溅射形成正面金属区域，并在所述衬底的背面金属溅射形成背面金属区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海埃积半导体有限公司 一种耐闩锁IGBT器件及其制造方法
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