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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于MicroLED组装相关技术领域，并公开了一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置和方法。该转移装置包括支撑层、驱动层、第一封装薄膜层、放大器和第二封装薄膜层，激光照射在驱动层上其中的驱动介质膨胀，第一封装薄膜层向下凸起变形；同时由于放大器中梯形不可压缩流体的存在，使得第一封装薄膜层的变形在放大器的作用下传递给第二封装薄膜，产生更大的凸起变形；当第二封装薄膜发生凸起变形时与待转移的MicroLED分离，以巨量转移成形方法。通过本发明，解决现有Micro‑LED巨量转移过程中由于印章不可逆、驱动力小、光斑因素等造成操作成本高、难度大和良品率低等问题。
主权项：1.一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置，其特征在于，该转移装置自上而下包括支撑层1、驱动层2、第一封装薄膜层3、放大器4和第二封装薄膜层5，其中，所述支撑层1为透明层，激光透过带支撑层照射在所述驱动层2上；所述驱动层2内设置有空腔6，该空腔内设置有驱动介质7，激光照射在所述驱动层上后被所述驱动层吸收使得所述空腔内的所述驱动介质膨胀；所述第一封装薄膜层3设置在所述驱动层2下方，当所述驱动介质膨胀后，所述第一封装薄膜层3在所述驱动介质7的作用下向下凸起变形；所述放大器4中设置有梯形通孔，与所述第一封装薄膜层和第二封装薄膜层形成封闭的梯形腔体，该梯形腔体内设置有不可压缩流体，所述梯形腔体中的上顶面面积大于下底面面积，所述第一封装薄膜层的变形在所述梯形腔体中传递介质的作用下传递给所述第二封装薄膜层5，并将所述第一封装薄膜层3的变形放大，进而使得所述第二封装薄膜层5产生更大的凸起变形；所述第二封装薄膜层5与待转移的MicroLED接触，当所述第二封装薄膜层发生凸起变形时与所述待转移的MicroLED分离，以此实现待转移的MicroLED的转移。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置和方法
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