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申请/专利权人：株式会社日立制作所
摘要：本发明提供能够提高半导体检测器的性能的技术。在半导体检测器中，将在以倒装芯片的方式连接后的半导体芯片CHP1与半导体芯片CHP2之间的间隙填充底部填充物40作为前提，在读取电极焊盘PD1与栅极端子20的经由凸块电极BMP1的连接构造的周围不形成底部填充物40。
主权项：1.一种半导体检测器，使通过向施加有漂移电场的耗尽层射入电磁波而生成的电荷载体在上述漂移电场中移动至读取电极并收集到电荷量，基于该电荷量来测定上述电磁波的能量，上述半导体检测器的特征在于，具备：第一半导体芯片，其形成有上述读取电极和与上述读取电极电连接的读取电极焊盘；以及第二半导体芯片，其具有与上述读取电极焊盘电连接的放大器，并且与上述第一半导体芯片以倒装芯片的方式连接，除上述读取电极焊盘与上述放大器连接的第一连接部分以外，在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间填充有底部填充物，上述放大器包含具有栅电极的场效应晶体管，上述第二半导体芯片具有与上述栅电极电连接的栅极端子，上述第一连接部分由上述读取电极焊盘与上述栅极端子的经由凸块电极的第一连接构造构成，在上述第一半导体芯片设有用于抑制上述第一连接构造被上述底部填充物包围的第一导向部，上述第一导向部由焊盘部和形成在上述焊盘部上的突起部构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社日立制作所 半导体检测器及其制造方法
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