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申请/专利权人：格兰菲智能科技股份有限公司
摘要：本申请涉及一种绝缘栅双极性晶体管及其制备方法、电子设备，绝缘栅双极性晶体管包括：第一导电类型的衬底；多个栅极结构，间隔设置在第一导电类型的衬底内，栅极结构包括栅氧化层、第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层，第一半导体掺杂层设置在第二半导体掺杂层上，栅氧化层设置在第一半导体掺杂层的侧壁、第二半导体掺杂层的底部和侧壁，第一半导体掺杂层具有第一导电类型，第二半导体掺杂层具有第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反。第二半导体掺杂层与第一半导体掺杂层结合形成反向PN结，在栅氧化层底部被击穿后，该PN结可以承受反向电压，避免第一半导体掺杂层与衬底短路，IGBT管失效的情况的发生，提高了IGBT管的耐压性。
主权项：1.一种绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；多个栅极结构，间隔设置在所述第一导电类型的衬底内，所述栅极结构包括栅氧化层、第一半导体掺杂层和第二半导体掺杂层，所述第一半导体掺杂层设置在所述第二半导体掺杂层上，所述栅氧化层设置在所述第一半导体掺杂层的侧壁、所述第二半导体掺杂层的侧壁以及所述第二半导体掺杂层的底部，所述第一半导体掺杂层具有第一导电类型，所述第二半导体掺杂层具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格兰菲智能科技股份有限公司 绝缘栅双极性晶体管及其制备方法、电子设备
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