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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明公开了一种自相干宽脊边发射半导体激光器及制备方法，包括：半导体衬底；半导体衬底的上表面形成有半导体外延层；半导体外延层的上表面自一侧至另一侧依次形成有宽脊波导区、衍射光栅区、自相干耦合区和相移光栅区；其中，自相干耦合区的长度满足Talbot距离；宽脊波导区上表面自下至上依次形成有绝缘电极窗口和P金属电极，半导体衬底的下表面形成有N金属电极；宽脊波导区一侧的端面上形成有高反膜层，相移光栅区一侧的端面上形成有半反半透膜层。本发明实现了同相模输出，有效改善了宽脊边发射半导体激光器高功率输出下的慢轴光束质量，单一激光源的宽脊边发射半导体激光器在工作过程中更加稳定，且具有工艺简单、成本低的优势。
主权项：1.一种自相干宽脊边发射半导体激光器，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底的上表面形成有半导体外延层；所述半导体外延层的上表面自一侧至另一侧依次形成有宽脊波导区、衍射光栅区、自相干耦合区和相移光栅区；其中，所述自相干耦合区的长度满足Talbot距离；所述宽脊波导区上表面自下至上依次形成有绝缘电极窗口和P金属电极，所述半导体衬底的下表面形成有N金属电极；所述宽脊波导区一侧的半导体衬底和半导体外延层的端面上形成有高反膜层，所述相移光栅区一侧的半导体衬底和半导体外延层的端面上形成有半反半透膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种自相干宽脊边发射半导体激光器及制备方法
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