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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明提供了一种锗酸铌铷二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于光学晶体材料技术领域。所述化合物采用高温固相法和助熔剂法制备，制备方法包括采用助熔剂法生长锗酸铌铷非线性光学晶体的步骤。所得产品具有适中的倍频效应、大的光学带隙和宽的透过范围，且其物化性质稳定，在空气中能稳定存在，可制备近‑中红外非线性光学频率转换器件。
主权项：1.本发明提供了一种中红外锗酸铌铷二阶非线性光学晶体及其制备和利用该晶体制作的非线性光学器件的方法。该化合物由高温固相法制备，其化学式为RbNbGe3O9。在相同粒径范围下具有与KDP晶体相仿的二次谐波强度，而且具有较大的带隙较大为3.91eV和宽的中红外透过范围，红外截止边宽于5μm。。采用助熔剂法生长该晶体，其表现出优异的热稳定性和化学稳定性，可作为一种近-中红外非线性光学晶体，可应用于全固态激光器中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 化合物锗酸铌铷二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
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