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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台，主要解决传统基台直角过渡边缘导致周围电场畸变，影响化学气相沉积过程，导致结晶效果不理想的问题。方案包括：基台形状为扁柱体，其边缘外形由三阶贝塞尔曲线形成，扁柱体纵切面底部为两个直角、上部为三阶贝塞尔曲线形成的两个圆弧角；所述曲线由四个控制点生成，以MPCVD装置底部中心为原点，平行于基台底面的轴线为横轴，其垂直方向为纵轴，构建二维柱坐标系；通过调整四个控制点在坐标系中的位置坐标定义曲线形状。本发明能够消除电场畸变现象，从而增强基台上方电场强度、增大等离子体密度，有效提升金刚石等待制备材料的沉积速率。
主权项：1.一种基于三阶贝塞尔曲线的新型微波等离子体化学气相沉积MPCVD装置基台，放置于MPCVD装置谐振腔底部，且可拆卸；其特征在于：所述基台形状为扁柱体，其边缘外形由三阶贝塞尔曲线形成；所述三阶贝塞尔曲线由四个控制点生成，以MPCVD装置底部中心为原点，平行于基台底面的轴线为横轴，其垂直方向为纵轴，构建二维柱坐标系；通过调整四个控制点在坐标系中的位置坐标定义曲线形状；所述扁柱体的纵切面底部为两个直角、上部为三阶贝塞尔曲线形成的两个圆弧角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台
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