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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
摘要：本发明提供一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法，在微负压条件下，利用LPCVD工艺在硅片表面沉积隧穿氧化层；所述微负压条件为300~700torr。本发明采用微负压沉积隧穿氧化层工艺，使得LPCVD工艺的整个反应过程中，反应腔室的压力保持低于大气压状态，无热气流经过炉门及密封圈，改善了反应室的密封性，避免反应室内的气体泄漏或者炉管外的空气混入反应室内，确保隧穿氧化层和非晶硅薄层的沉积质量，从而提高看了TOPcon电池的转换效率；同时，使后续的沉积非晶硅层工序中抽真空至低压工艺保持稳定状态，降低返工率，从而提高TOPcon电池中LPCVD直通率。
主权项：1.一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在反应腔室内放入硅片，在密封条件下抽真空至5~100mtorr，升温至550~650℃后，通入氧气至300~700torr的微负压，停止通氧；氧气流量为20~40slm，通氧时间为100~400s；2）在上述微负压和温度条件下，进行焖氧，焖氧时间为300~600s，在硅片表面沉积隧穿氧化层；3）在100~200mtorr和550~650℃下，在反应腔室内通入硅烷，在隧穿氧化层表面沉积非晶硅层；所述反应腔室为炉管的炉腔，所述炉管具有炉口、炉中和炉尾，硅烷采用同时从炉口、炉中和炉尾进气的方式进气，炉口处硅烷流量为460~600sccm；炉中处硅烷流量为430~450sccm；炉尾处硅烷流量为50~180sccm。
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权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 一种提高TOPcon电池LPCVD直通率的方法
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