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申请/专利权人：河北大学
摘要：本发明公开了一种具有摩尔超晶格结构的二硫化钼纳米带及其制备方法，该纳米带宏观上具有一维限域的结构特征，微观结构上具有周期性摩尔条纹，形成摩尔超晶格结构，是凝聚态物理中研究新奇量子态的理想平台。所述纳米带的制备方法是：利用空间限域化学气相沉积技术，以SiO2Si为生长基片，硫粉为硫源，三氧化钼粉为钼源；通过调控钼源的蒸发速率、浓度分布、定向传输以及载气流量等参量，实现具有摩尔超晶格结构的二硫化钼纳米带的一步法制备。该方法工艺简单、原料消耗少、可重复率高、无催化剂且对环境友好。
主权项：1.一种具有摩尔超晶格结构的二硫化钼纳米带的制备方法，其特征是，包括如下步骤：a、以SiO2Si作为生长基底，以硫粉和三氧化钼粉为原料，以氩气作为载流气体和保护气体；硫粉和三氧化钼粉的质量比为400~500:1；b、分别将盛有硫粉和三氧化钼粉的氧化铝舟放置在双温区管式炉的两个温区中心，SiO2Si生长基底水平放置在盛有三氧化钼粉的氧化铝舟的后端；盛有三氧化钼粉的氧化铝舟的后端开口，在其上方放置有半圆形石英管屏蔽罩；c、在氩气气流氛围下，对管式炉两个温区同时进行升温，硫粉所在温区的目标温度为180-200℃，三氧化钼粉所在温区的目标温度为830-850℃，两温区同时升温至目标温度后，结束升温，在氩气的保护下冷却至室温。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河北大学 一种具有摩尔超晶格结构的二硫化钼纳米带及其制备方法
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