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申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

摘要：本公开提供了带隙参考电路，该带隙参考电路为了降低输出参考电压的闪烁噪声而对电流镜电路具有多级斩波动作。带隙参考电路包括：第一电流镜，包括一对第一MOSFET和第二MOSFET；第二电流镜，包括第三MOSFET，该第三MOSFET电连接到第一电流镜并被配置为在漏极处提供参考电压；第一双极结型晶体管，电连接到第一电流镜；第二双极结型晶体管，经由第一电阻器连接到第一电流镜；以及第三双极结型晶体管，经由第二电阻器连接到第三MOSFET。该带隙参考电路还包括用于控制MOSFET的运算放大器、以及被配置为对第一电流镜和第二电流镜的输出执行斩波动作的多个斩波开关。

主权项：1.一种带隙参考电路，包括：第一电流镜，包括一对第一MOSFETM1和第二MOSFETM2；第二电流镜，包括第三MOSFETM3.1，所述第三MOSFET电连接到所述第一电流镜并被配置为在所述第三MOSFETM3.1的漏极处提供参考电压；第一双极结型晶体管MB1，电连接到所述第一电流镜；第二双极结型晶体管MB2，经由第一电阻器R1电连接到所述第一电流镜；第三双极结型晶体管MB3，经由第二电阻器R2电连接到所述第三MOSFETM3.1；以及多个斩波开关，被配置为对所述第一电流镜和所述第二电流镜的输出执行斩波动作，其中所述多个斩波开关包括：第一开关S1，被配置为将所述第一MOSFETM1和所述第二MOSFETM2二者择一地电连接到所述第一双极结型晶体管MB1；以及第二开关S2，被配置为将所述第一MOSFETM1和所述第二MOSFETM2二者择一地电连接到所述第一电阻器R1，其中当所述第一开关S1连接所述第一MOSFETM1时，所述第二开关S2连接所述第二MOSFETM2，并且当所述第一开关S1连接所述第二MOSFETM2时，所述第二开关S2连接所述第一MOSFETM1，其中所述第一开关S1和所述第二开关S2以第二频率F2操作，其中所述第二电流镜还包括第四MOSFETM3.2，所述第四MOSFETM3.2电连接到所述第一电流镜和所述第二电阻器R2，其中所述多个斩波开关还包括：第三开关S3，被配置为将所述第三MOSFETM3.1和所述第四MOSFETM3.2二者择一地电连接到所述第二电阻器R2；以及第四开关S4，被配置为将所述第三MOSFETM3.1或所述第四MOSFETM3.2二者择一地电连接到所述第二电阻器R2，其中当所述第三开关S3连接所述第三MOSFETM3.1时，所述第四开关S4连接所述第四MOSFETM3.2，并且当所述第三开关S3连接所述第四MOSFETM3.2时，所述第四开关S4连接所述第三MOSFETM3.1，其中所述第三开关S3和所述第四开关S4以所述第二频率F2操作，其中所述多个斩波开关还包括：第五开关S5，被配置为将所述第一开关S1和所述第三开关S3二者择一地连接到所述第一双极结型晶体管MB1；第六开关S6，被配置为将所述第二开关S2和所述第四开关S4二者择一地连接到所述第一电阻器R1；第七开关S7，被配置为将所述第一开关S1和所述第三开关S3二者择一地连接到所述第二电阻器R2；以及第八开关S8，被配置为将所述第二开关S2和所述第四开关S4二者择一地连接到所述第二电阻器R2，其中当所述第五开关S5连接所述第一开关S1时，所述第七开关S7连接所述第三开关S3，并且当所述第五开关S5连接所述第三开关S3时，所述第七开关S7连接所述第一开关S1，其中当所述第六开关S6连接所述第二开关S2时，所述第八开关S8连接所述第四开关S4，并且当所述第六开关S6连接所述第四开关S4时，所述第八开关S8连接所述第二开关S2，其中所述第五开关S5、所述第六开关S6、所述第七开关S7和所述第八开关S8被配置为以第三频率F3操作。

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