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申请/专利权人：扬州晶格半导体有限公司
摘要：本发明公开了硅晶体制造技术领域内的一种降低铸造单晶位错的装料方法，包括以下步骤：S1:坩埚内壁制备氮化硅涂层；S2:单晶籽晶间隔平铺在坩埚底部；S3:多层硅片错叠平铺在单晶籽晶上方，硅片遮盖单晶籽晶之间的预留间隙；S4:在硅片上装填一层硅粉；S5:在硅粉上平铺硅块；S6:在硅块上贴着坩埚内壁竖直间隔放置多块第一晶块；在硅块上呈阵列间隔水平放置多块第二晶块，第一晶块和第二晶块在竖向均可重叠放置多层，多块第一晶块环绕第二晶块阵列，装料作业结束。本装料方法通过硅片硅粉硅块三重防护，避免单晶籽晶受损，同时装料时晶块之间预留25‑30％的热辐射通道，从而减少铸造单晶位错，提高单晶硅锭的光电转换效率。
主权项：1.一种降低铸造单晶位错的装料方法，其特征在于，包括以下步骤：S1:坩埚内壁制备氮化硅涂层；S2:单晶籽晶间隔平铺在所述坩埚底部；S3:多层硅片错叠平铺在所述单晶籽晶上方，所述硅片遮盖所述单晶籽晶之间的预留间隙；S4:在所述硅片上装填一层硅粉；S5:在所述硅粉上平铺硅块；S6:在所述硅块上贴着所述坩埚内壁竖直间隔放置多块第一晶块；在所述硅块上呈阵列间隔水平放置多块第二晶块，所述第一晶块和所述第二晶块沿竖向重叠放置若干层，多块所述第一晶块环绕所述第二晶块阵列，装料作业结束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州晶格半导体有限公司 一种降低铸造单晶位错的装料方法
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