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申请/专利权人：陕西航天时代导航设备有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件，尤其涉及雪崩光电探测器技术领域，包括正电极层和负电极层，从负电极层至正电极层依次包括衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及接触层，其特征在于：所述的衬底材料为N型InP，所述的缓冲层材料为N型InP，所述的吸收层材料为I型In0.53Ga0.47As，所述的渐变层材料为InGaAsP，所述的电荷层材料为P型In0.52Al0.48As，所述的倍增层材料为I型In0.52Al0.48As，所述的接触层材料为P型In0.52Al0.48As；并对各层厚度与掺杂浓度的重新设计，解决了目前制备器件在室温下工作时产生的暗电流高，灵敏度低的问题。
主权项：1.一种雪崩光电探测器，包括正电极层和负电极层，从负电极层至正电极层依次包括衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、倍增层以及接触层，其特征在于：所述的衬底材料为N型InP，所述的缓冲层材料为N型InP，所述的吸收层材料为I型In0.53Ga0.47As，所述的渐变层材料为InGaAsP，所述的电荷层材料为P型In0.52Al0.48As，所述的倍增层材料为I型In0.52Al0.48As，所述的接触层材料为P型In0.52Al0.48As；还包括覆盖在探测器侧表面的钝化层；所述的衬底的掺杂浓度为3×1018cm-3，厚度为3.0μm；缓冲层的掺杂浓度为2×1017cm-3，厚度为0.50μm；吸收层的掺杂浓度为1×1016cm-3，厚度为1.50μm；渐变层InGaAsP4的掺杂浓度为1×1016cm-3，厚度为0.05μm；电荷层的掺杂浓度为1×1017cm-3，厚度为0.25μm；倍增层的掺杂浓度为1×1016cm-3，厚度为0.50μm；接触层的掺杂浓度为1×1018cm-3，厚度为2.50μm。
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百度查询： 陕西航天时代导航设备有限公司 一种雪崩光电探测器
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