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申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司
摘要：本发明公开一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构及制造方法，在N+衬底上设有N‑外延层，在N‑外延层内设有宽窄相间的P型柱，P型柱顶部设有Pbody区，栅氧化层连接相邻Pbody区，正面设有多晶硅栅极，栅氧化层正面外部包覆有层间介质层，正面上方为金属层。本发明通过在有源区形成CD不同的P型柱来构建非平衡的击穿分布，结合表面NSource的选择性注入，使雪崩电流绝大部分流过无NPN结构区域，避免了MOSFET内寄生NPN结构的开启，该工艺兼容现有超结工艺流程，不需要额外的工艺及光刻mask，可极大提升雪崩能力。
主权项：1.一种优化雪崩耐量的超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：步骤一、在N+衬底上生长一层外延层N-（1）；步骤二、在外延层N-上刻蚀出深沟槽结构，形成不同尺寸的深沟槽（2），宽的深沟槽与窄的深沟槽交错排列；步骤三、通过外延的方式对步骤二中的深沟槽进行填充形成P型区（3），通过CMP将外延层N-的表面的多余的P型区去除，形成宽窄相间的P型柱；步骤四、通过PWmask刻蚀并向P型柱注入P型杂质硼，在高温下进行推阱以形成器件的Pbody区（4），以在宽的P型柱的顶部形成宽的Pbody区，在窄的P型柱的顶部形成窄的Pbody区；步骤五、热氧化工艺生长场氧并刻蚀出器件的有源区，干氧氧化生长器件的栅氧并淀积多晶硅，通过对多晶硅及栅氧的回刻形成器件的栅氧化层（5）及多晶硅栅极（6），位于外延层N-上方连接相邻的不同宽窄的Pbody区；步骤六、仅在窄的Pbody区表面与栅氧化层（5）接触点进行Nsource区（7）的光刻并离子注入杂质As以形成器件的源极，在宽的Pbody区表面无杂质As注入；步骤七、在栅氧化层及多晶硅栅极表面淀积层间介质层（8）并进行reflow形成平坦的表面，通过接触孔光刻在Pbody区上方刻蚀出器件的接触孔；步骤八、通过接触孔注入P型杂质，淀积金属形成良好的欧姆接触，通过金属刻蚀形成作为器件的电极的金属层（9）。
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