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申请/专利权人：NANO科技(北京)有限公司
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管，包括：多颗二极管芯片；二极管芯片包括：自内至外依次呈水平排布的P型重掺杂区、P型轻掺杂吸收区、N型电荷区、N型轻掺杂雪崩区以及N型重掺杂区，且P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度。本发明采用水平排布，使得电场实现横向分布，且P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度，利于光子探测效率的提高。
主权项：1.一种雪崩光电二极管，包括：多颗二极管芯片；其特征在于，所述二极管芯片包括：自内至外依次呈水平排布的P型重掺杂区、P型轻掺杂吸收区、N型电荷区、N型轻掺杂雪崩区以及N型重掺杂区；所述P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度；所述N型轻掺杂雪崩区是在硅晶圆片上外延生长硅所形成的，且所述N型轻掺杂雪崩区上开设槽深大于槽宽的沟槽，所述N型电荷区与所述P型轻掺杂吸收区依次外延生长于所述沟槽的底部与侧壁并预留中心空间，所述P型重掺杂区生长于该预留中心空间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： NANO科技(北京)有限公司 一种雪崩光电二极管
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