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申请/专利权人：巴斯夫欧洲公司
摘要：一种用于在硅层的存在下选择性地蚀刻硅锗SiGe层的组合物，该组合物包含：a按重量计1％至10％的氧化剂；b按重量计1％至14％的包含氟离子源的蚀刻剂；c按重量计0.001％至3％的具有式S1的选择性增强剂；d按重量计0.001％至3％的具有式S31的额外选择性增强剂以及e水；其中RS1选自XS‑OH和YS‑CO‑OH；RS2选自iRS1、iiH、iiiC1至C10烷基、ivC1至C10烯基、vC1至C10炔基和vi‑XS1‑O‑C2H3RS6m‑ORS6；RS6选自H和C1至C6烷基；RS31、RS32、RS33独立地选自C1至C6烷基；RS34、RS35、RS36独立地选自H和C1至C6烷基；XS选自直链或支链C1至C10烷二基、直链或支链C2至C10烯二基、直链或支链C2至C10炔二基和‑XS1‑O‑C2H3RS6m‑；YS选自化学键和XS；XS1是C1至C6烷二基；XS31选自C1至C6烷二基和‑XS1‑O‑C2H3RS6m‑；m是1至10的整数。
主权项：1.一种用于在硅层的存在下选择性地蚀刻硅锗合金SiGe层的组合物，该组合物包含：a按重量计1％至10％的氧化剂；b按重量计1％至14％的包含氟离子源的蚀刻剂；c按重量计0.001％至3％的具有式S1的选择性增强剂 d按重量计0.001％至3％的具有式S31的额外选择性增强剂 以及e水；其中RS1选自XS-OH和YS-CO-OH；RS2选自iRS1、iiH、iiiC1至C10烷基、ivC1至C10烯基、vC1至C10炔基和vi-XS1-O-C2H3RS6m-ORS6；RS6选自H和C1至C6烷基；RS31、RS32、RS33独立地选自C1至C6烷基；RS34、RS35、RS36独立地选自H和C1至C6烷基；XS选自直链或支链C1至C10烷二基、直链或支链C2至C10烯二基、直链或支链C2至C10炔二基和-XS1-O-C2H3RS6m-；YS选自化学键和XS；XS1是C1至C6烷二基；XS31选自C1至C6烷二基和-XS1-O-C2H3RS6m-；m是1至10的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 巴斯夫欧洲公司 用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法
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