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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：一种n型高纯锗的制备方法包括步骤：S1，将腐蚀好的纯度为12N的高纯锗多晶装入提拉炉的坩埚中；S2，将提拉炉抽真空，保压；S3，步骤S2完成之后，向提拉炉内通入9N高纯氮气、并开启排气口排气：S4，切换向提拉炉内通入纯度为7N以上的高纯磷烷气体2h，流量为2‑5Lmin，维持抽真空，以保持流动式压力0.095‑0.105MPa；S5，维持通入高纯磷烷气体并保持流动式压力，升温进行化料；S6，待化料完成后，停止通入高纯磷烷气体并切换至通入纯度9N的高纯氢气2h，维持排气口排气；S7，在步骤S6完成后，继续维持通入高纯氢气并保持流动式压力，进行提拉，直到提拉的降温完成后，切换至9N高纯氮气，维持排气口排气，最后出炉。
主权项：1.一种n型高纯锗的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1，将腐蚀好的纯度为12N的高纯锗多晶装入提拉炉的坩埚中；S2，将提拉炉抽真空，保压在1×10-4Pa以下2h；S3，步骤S2完成之后，向提拉炉内通入9N高纯氮气、并开启排气口排气，流量为2-5Lmin，流动式压力0.04-0.05MPa，持续2h：S4，切换向提拉炉内通入纯度为7N以上的高纯磷烷气体2h，流量为2-5Lmin，维持抽真空，以保持流动式压力0.095-0.105MPa；S5，维持通入高纯磷烷气体并保持流动式压力，升温进行化料；S6，待化料完成后，停止通入高纯磷烷气体并切换至通入纯度9N的高纯氢气2h，流量为2-5Lmin，维持排气口排气，以保持流动式压力0.095-0.105MPa；S7，在步骤S6完成后，继续维持通入高纯氢气并保持流动式压力，进行提拉，直到提拉的降温完成后，切换至9N高纯氮气，维持排气口排气，以保持流动式压力0.095-0.105MPa，最后出炉。
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