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申请/专利权人：深圳市荣者光电科技发展有限公司

摘要：本发明涉及光电探测器技术领域，具体为一种高效的GaAs光阴极清洗方法，包括有以下步骤：打开去离子水开关，在流动的去离子水下冲洗GaAs光阴极，在冲洗GaAs光阴极3min后，关闭去离子水开关，打开高纯氮气流量阀，调节氮气流量为0.01sccm，使用氮气枪吹除GaAs光阴极输入、输出端面的去离子水，将吹干后的GaAs光阴极放入温度为30℃的干燥箱中干燥5min，向兆声清洗机中管道中加入异丙醇与去离子水的混合溶液。本发明的优点在于：通过兆声组合清洗方法，辅以水和异丙醇为清洗剂，在转速1000转min，频率950kHz的条件下进行清洗，使光电阴极表面的污染物通过在兆声空化的作用下，降低与光阴极表面的附着力，降低清洗过程中的破坏。

主权项：1.一种高效的GaAs光阴极清洗方法，其特征在于，包括有以下步骤：1打开去离子水开关，在流动的去离子水下冲洗GaAs光阴极，在冲洗GaAs光阴极3min后，关闭去离子水开关；2打开高纯氮气流量阀，调节氮气流量为0.01sccm，使用氮气枪吹除GaAs光阴极输入、输出端面的去离子水；3将吹干后的GaAs光阴极放入温度为30℃的干燥箱中干燥5min；4向兆声清洗机中管道中加入异丙醇与去离子水的混合溶液，配比1:1，设置超声频率950KHz，超声功率40W，离心转速1000转min；5将GaAs光阴极放置于聚四氟乙烯工装限位槽处，然后将聚四氟乙烯工装固定在兆声清洗机中，通过兆声清洗5min；6计时结束后，取出夹具，打开去离子水开关，在流动的去离子水下继续冲洗GaAs光阴极30s，然后关闭去离子水开关；7打开高纯氮气流量阀，调节氮气流量为0.01sccm，使用氮气枪吹除GaAs光阴极输入、输出端面的去离子水；8配制稀HCl溶液，HCl溶液浓度为1％-10％，将配制后的溶液注入液体管中；9选用1078YS喷头，其中二流体喷头与光阴极夹角为角度60°，设置喷射氮气压力0.2MPa，液压0.2MPa，调节液体喷雾量0.54Lmin并调节氮气消耗量36NLmin；10将GaAs光阴极置于自动化二流体清洗机中，清洗时间为10min；11计时结束后，更换为去离子水，打开去离子水开关对GaAs光阴极清洗5min；12对GaAs光阴极清洗完成后，取出光阴极，打开高纯氮气流量阀，调节氮气流量为0.01sccm，使用氮气枪吹除GaAs光阴极输入、输出端面的去离子水；13将吹干后的GaAs光阴极放入温度为30℃的干燥箱中干燥5min；14用经异丙醇湿润后的无尘布擦拭等离子清洗腔体；15取出经清洗干燥后的等离子清洗夹具，置于洁净台内，使用聚四氟乙烯三角工具将吹干后的GaAs光阴极置于等离子清洗工装限位槽处，输出面朝上，然后将等离子清洗工装安装在等离子清洗腔体中，关闭等离子清洗腔体盖板；16采用干泵及分子泵，对等离子清洗腔体进行抽真空，将等离子清洗腔体中的气体抽走；17当等离子清洗腔体内部的真空度达到1×10-6torr后，设置氩气流量为0.333sccm，然后打开高纯氮气流量阀，等待30s，直至氩气充满整个等离子清洗腔体；18待分子泵转速稳定后，打开等离子射频电源，在等离子清洗腔体内的电子与接地保护装置之间形成高频率电压，使氩气被击穿，形成辉光放电使其离子化，形成等离子体，待辉光稳定后，对GaAs光阴极进行等离子清洗10min；19计时结束后，依次关闭等离子射频电源、氩气流量阀，等待等离子清洗腔体自然冷却至室温；20关闭等离子清洗腔体上的插板阀，关闭分子泵及干泵开关，打开等离子清洗腔体氮气阀，进行破真空处理，取出GaAs光阴极，存放在氮气柜中。

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