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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
主权项：1.一种成膜方法，其特征在于，包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将所述掩模送入处理容器内的步骤；将所述基片送入所述处理容器内的步骤；和在所述基片的背面配置有所述掩模的状态下，对所述基片的背面进行成膜的步骤，将所述掩模送入处理容器内的步骤中，参照将处理条件和掩模信息相关联地存储的存储部，将与特定处理条件相关联地存储的掩模信息对应的2个以上的掩模依次送入所述处理容器内，配置在所述基片的背面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和半导体制造装置
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