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申请/专利权人：三井化学株式会社
摘要：本发明涉及防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法，该防护膜，其包含多个碳纳米管且衍射峰比率为1.3以上，该多个碳纳米管的一部分形成多个管束，所述衍射峰比率表示：在利用透射电子显微镜对所述防护膜的表面进行观察得到的选区衍射图像中，第二高斯函数的高度与第一高斯函数的高度的比率。第二高斯函数为将第二绘制曲线拟合而得到的第二拟合函数的构成要素，第一高斯函数为将第一绘制曲线拟合而得到的第一拟合函数的构成要素，第一绘制曲线是相对于散射矢量q的、管束的来自管束格子的衍射强度弱的方向上的衍射强度的线形，第二绘制曲线是相对于散射矢量q的、所述衍射强度强的方向上的衍射强度的线形。
主权项：1.一种防护膜，其包含多个碳纳米管，且衍射峰比率为1.3以上，所述多个碳纳米管的一部分形成多个管束，所述衍射峰比率表示，在利用透射电子显微镜对所述防护膜的表面进行观察得到的选区衍射图像中，第二高斯函数的高度与第一高斯函数的高度的比率，所述第二高斯函数为将第二绘制曲线拟合而得到的第二拟合函数的构成要素，所述第一高斯函数为将第一绘制曲线拟合而得到的第一拟合函数的构成要素，所述第一绘制曲线是相对于散射矢量q的、管束的来自管束格子的衍射强度弱的方向上的衍射强度的线形，所述第二绘制曲线是相对于散射矢量q的、所述衍射强度强的方向上的衍射强度的线形，所述第一拟合函数是，在散射矢量q为q＝1.5nm-1～4.0nm-1的范围的所述第一绘制曲线和所述第二绘制曲线中共用的基线的函数、与所述第一绘制曲线的峰中心位置处于q＝2.0nm-1～3.0nm-1的范围的所述第一高斯函数之和所表示的函数，所述第二拟合函数是，所述基线的函数、与所述第二绘制曲线的峰中心位置处于g＝2.0nm-1～3.0nm-1的范围的所述第二高斯函数之和所表示的函数，所述第一高斯函数的高度表示散射矢量q为q＝2.0nm-1～3.0nm-1的范围内的所述第一高斯函数的极大值，所述第二高斯函数的高度表示散射矢量q为q＝2.0nm-1～3.0nm-1的范围内的所述第二高斯函数的极大值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三井化学株式会社 防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置和防护膜的制造方法
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