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一种表面增强拉曼散射基底 

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申请/专利权人:国家纳米科学中心

摘要:本发明涉及一种表面增强拉曼散射基底,所述表面增强拉曼散射基底包括衬底,设置于衬底一侧表面的墙阵列,以及设置于墙阵列表面的等离子体共振纳米结构层;所述墙阵列包括平面介质格栅,以及覆盖所述平面介质格栅与衬底表面的金属膜层。本发明通过在SERS基底设置墙阵列结构以及覆盖墙阵列结构的等离子体共振纳米结构层,使表面等离激元波对表面等离子体共振的激发最大化,从而得到具有高灵敏度以及高均一性的表面增强拉曼散射基底。

主权项:1.一种表面增强拉曼散射基底,其特征在于,所述表面增强拉曼散射基底包括衬底,设置于衬底一侧表面的墙阵列,以及设置于墙阵列表面的等离子体共振纳米结构层;所述墙阵列包括平面介质格栅,以及覆盖所述平面介质格栅与衬底表面的金属膜层;所述金属膜层包括覆盖平面介质格栅顶面与衬底表面的水平金属膜层,以及覆盖平面介质格栅侧面的纵向金属膜层;所述水平金属膜层的厚度为50-200nm;所述纵向金属膜层的厚度为1-17nm;所述金属膜层的表面覆盖有介质膜层;所述介质膜层包括覆盖水平金属膜层的水平介质膜层,以及覆盖纵向金属膜层的纵向介质膜层;所述水平介质膜层的厚度为0.5-3nm;所述纵向介质膜层的厚度为0.5-3nm。

全文数据:

权利要求:

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