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一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置 

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申请/专利权人:东莞市鼎力自动化科技有限公司

摘要:本发明公开了一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置,本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域,包括炉体,炉体内侧中部安装有坩埚,坩埚底部安装有支撑座,支撑座底部安装有转动电机,且转动电机安装在炉体底部中间,坩埚通过支撑座和转动电机配合与炉体转动安装,炉体顶部中间安装有拉动气缸,炉体四周环绕安装有加热组件。该碳化硅晶体生长炉温场调节装置,综合减少炉体的热量损失,提升炉体的整体保温效果,提高炉体与外界气温的隔绝性能,进一步提升了炉体和坩埚内温度均匀性,确保了坩埚内温场的均衡调节与把控,能够动态调节加热组件的功率输出,保证温场的稳定性和均匀性。

主权项:1.一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置,包括炉体1,所述炉体1内侧中部安装有坩埚2,所述坩埚2底部安装有支撑座8,所述支撑座8底部安装有转动电机4,且转动电机4安装在炉体1底部中间,所述坩埚2通过支撑座8和转动电机4配合与炉体1转动安装,所述炉体1顶部中间安装有拉动气缸6,其特征在于:所述炉体1四周环绕安装有加热组件3,所述炉体1表面固定安装有控制器5,且控制器5安装在加热组件3上方,所述炉体1内侧中部安装有监测组件7,且监测组件7通过炉体1安装在坩埚2上方;所述加热组件3包括环绕安装在炉体1四周的第一加热环31,所述炉体1内侧底部安装有内置环架33,所述内置环架33顶部呈圆形阵列状插装有倒U形加热杆34,所述内置环架33顶部呈圆形阵列状插装有内置组件36,所述内置组件36内侧安装有加热件37,所述内置环架33内侧安装有导热环38,所述第一加热环31顶部等间距固定安装有三环加热总成32,三环加热总成32由三个独立的加热环件组成,且三环加热总成32在炉体1四周呈上、中、下三等分安装,内置组件36内侧的加热件37数量为三个,采用上、中、下三等分布,且导热环38的数量为三个。

全文数据:

权利要求:

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