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申请/专利权人：华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司
摘要：本发明属于晶片工艺参数提取相关技术领域，其公开了一种光调制光学反射率晶片中离子注入工艺参数的提取方法及系统，方法包括：对光调制光学反射率的晶片样本进行载流子照明实验，获得不同离子注入工艺参数下的功率曲线；构建多任务神经网络模型，所述多任务神经网络模型包括M个前馈网络以及N个对M个前馈网络进行集成的门控网络；以所述功率曲线为输入，以对应的工艺参数为输出，对所述多任务神经网络模型进行训练；将待测晶片样本的功率曲线输入训练完成的多任务神经网络模型获得对应的工艺参数。本申请可以实现晶片的注入工艺参数的精确提取。
主权项：1.一种光调制光学反射率晶片中离子注入工艺参数的提取方法，其特征在于，包括：训练阶段S1：对光调制光学反射率的晶片样本进行载流子照明实验，获得不同离子注入工艺参数下的功率曲线；S2：构建多任务神经网络模型，所述多任务神经网络模型包括M个前馈网络以及N个对M个前馈网络进行集成的门控网络；S3：以所述功率曲线为输入，以对应的工艺参数为输出，对所述多任务神经网络模型进行训练；应用阶段将待测晶片样本的功率曲线输入训练完成的多任务神经网络模型获得对应的工艺参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 上海精测半导体技术有限公司 一种光调制光学反射率晶片中离子注入工艺参数的提取方法及系统
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