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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司
摘要：本揭示内容提供一种晶圆制造系统及用于制造晶圆的方法，用于制造晶圆的方法包含：在第一气压下根据第一控制参数在第一批晶圆中的每一晶圆上形成第一氧化层；当接收对应第二批晶圆的处理要求时：侦测处理管中的第二气压；判断第二气压与第一气压之间的气压变化；根据多个工艺配方中每一者对应的比值，从工艺配方中选择可接受工艺配方；判断第二厚度与第一厚度之间的厚度差异；根据气压变化、厚度差异及第一控制参数产生第二控制参数；以及在第二气压下根据第二控制参数在第二批晶圆中的每一晶圆上形成第二氧化层。
主权项：1.一种用于制造晶圆的方法，其特征在于，包含：在一第一气压下根据一第一控制参数在一第一批晶圆中的每一晶圆上形成一第一氧化层，其中该第一批晶圆设置在一处理管中，该第一氧化层具有一第一厚度；当接收对应一第二批晶圆的一处理要求时：侦测该处理管中的一第二气压；判断该第二气压与该第一气压之间的一气压变化；根据多个工艺配方中每一者对应的一比值，从所述多个工艺配方中选择一可接受工艺配方，其中所述多个工艺配方中每一者对应的该比值与该气压变化及所述多个工艺配方中每一者对应的一气压适应值相关，其中该可接受工艺配方对应一第二厚度；判断该第二厚度与该第一厚度之间的一厚度差异；根据该气压变化、该厚度差异及该第一控制参数产生一第二控制参数；以及在该第二气压下根据该第二控制参数在该第二批晶圆中的每一晶圆上形成一第二氧化层，其中该第二批晶圆设置在该处理管中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 台积电(中国)有限公司 晶圆制造系统及用于制造晶圆的方法
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