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一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法 

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申请/专利权人:李志福

摘要:本发明公开了一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法,以晶向100的单晶硅为基材制作单晶硅基片,按照硅压力传感器设计指标,在单晶硅基片上设计4个相同的硅杯,硅杯底部为硅压力膜片;在每个硅杯中各设计1个相同阻值的压敏电阻;再将单晶硅基片与玻璃基板静电封接;将单晶硅基片上的4个压敏电阻通过划片沟槽分割成物理上相互隔离的4个独立压敏电阻;将4个独立压敏电阻通过内引线连接构成惠思通电桥,形成一个完整的压力传感器芯片。本发明的有益效果是:充分利用现有MEMS成熟工艺,消除的PN结漏电,不使用二氧化硅层,四个电阻均衡设计,提高器件全温区使用稳定性、一致性。该种方法工艺路线清晰,产品的价格优势明显,易于批量生产。

主权项:1.一种全温区高精度硅压力传感器芯片制造方法,采用MEMS制造工艺;其特征在于:以晶向100的单晶硅为基材制作单晶硅基片1,在单晶硅基片1上设计4个相同的硅杯4,硅杯4底部为硅压力膜片2;在每个硅杯4中各设计1个相同阻值的压敏电阻,压敏电阻中间部分是电阻条6,两端是电极键合区5,电阻条6两端分别与两个电极键合区5相连;所述电阻条6的形状、宽度、阻值和硅压力膜片1的厚度依据设计指标确定;每个压力电阻条6独立设计在硅压力膜片1上压力变化最大的位置,或者各自处在其以硅杯4中心点为坐标中心的相同坐标位置;将单晶硅基片1与玻璃基板3静电封接;进入划片工序,将单晶硅基片1上的4个压敏电阻通过划片沟槽分割成物理上相互隔离的4个独立压敏电阻;将4个独立压敏电阻通过内引线连接构成惠思通电桥,形成一个完整的压力传感器芯片。

全文数据:

权利要求:

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