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申请/专利权人：SOITEC公司;SOITEC比利时公司
摘要：一种半导体结构1包括绝缘体上硅衬底101和在所述绝缘体上硅衬底101的顶部的外延III‑N半导体层堆叠体202，所述绝缘体上硅衬底101包括硅基底层10、中间层11其在所述基底层10的顶部并且包括：富陷阱层111；和掩埋绝缘体121，其在富陷阱层111的顶部以及n型掺杂硅顶层12其在所述中间层11的顶部，所述外延III‑N半导体层堆叠体202包括第一有源III‑N层21其在所述顶层12的顶部、第二有源III‑N层22其在所述第一有源III‑N层21的顶部、二维电子气200其在所述第一有源III‑N层21和所述第二有源III‑N层22之间。
主权项：1.一种半导体结构1，其包括：-绝缘体上硅衬底101，其包括：○基底层10，其包含硅；○中间层11，其形成在所述基底层10的顶部；以及○顶层12，其形成在所述中间层11的顶部；-外延III-N半导体层堆叠体202，其在所述绝缘体上硅衬底101的顶部，所述外延III-N半导体层堆叠体202包括外延有源层20；其中所述外延有源层20包括：○第一有源III-N层21，其形成在所述顶层12的顶部；○第二有源III-N层22，其形成在所述第一有源III-N层21的顶部；二维电子气200，其在所述第一有源III-N层21和所述第二有源III-N层22之间；并且其中：-所述顶层12包含n型掺杂的硅；以及-所述中间层11包括：○富陷阱层111；和○掩埋绝缘体121，其形成在富陷阱层111的顶部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SOITEC公司 SOITEC比利时公司 绝缘体上硅上的第III族氮化物半导体结构及其生长方法
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