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ESD保护器件及芯片 

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申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司;复旦大学

摘要:本发明涉及一种ESD保护器件及芯片,所述器件包括:N型区;P型区,与N型区相邻设置;P型掺杂区,位于N型区中;第一N型掺杂区,位于P型区中;第二N型掺杂区,位于P型区中,第一N型掺杂区位于第二N型掺杂区与P型掺杂区之间;第一栅极,位于第一N型掺杂区和第二N型掺杂区之间的区域的上方;第一N型掺杂区和第一栅极连接ESD保护器件的负极,P型掺杂区连接ESD保护器件的正极;ESD保护器件还包括分压单元,分压单元的一端连接第二N型掺杂区、另一端连接ESD保护器件的正极。本发明既发挥了GGNMOS导通快的特点,又发挥了SCR放电能力强的特点。同时,由于初始使用GGNMOS泄放一部分电流,可以使保持电流大幅度抬升,有效提升ESD保护器件的抗闩锁能力。

主权项:1.一种ESD保护器件,其特征在于,包括:N型区;P型区,与所述N型区相邻设置;P型掺杂区,位于所述N型区中;第一N型掺杂区,位于所述P型区中;第二N型掺杂区,位于所述P型区中,所述第一N型掺杂区位于所述第二N型掺杂区与所述P型掺杂区之间;第一栅极,位于所述第一N型掺杂区和第二N型掺杂区之间的区域的上方;其中,所述第一N型掺杂区和所述第一栅极连接所述ESD保护器件的负极,所述P型掺杂区连接所述ESD保护器件的正极;所述ESD保护器件还包括分压单元,所述分压单元的一端连接所述第二N型掺杂区、另一端连接所述ESD保护器件的正极。

全文数据:

权利要求:

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