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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出并且在第一水平方向上延伸；多个纳米片，设置在鳍型有源区上并且在垂直方向上彼此分开；栅极线，在第二水平方向上延伸并围绕鳍型有源区上的所述多个纳米片，并且包括在所述多个纳米片之间的各个次栅极部分和在所述多个纳米片的最上面的层上方的主栅极部分；源极漏极区，设置在鳍型有源区上，与栅极线相邻，并且连接到所述多个纳米片；以及多个内间隔物，插置在栅极线和源极漏极区之间。面对次栅极部分的第一内间隔物的形状不同于面对主栅极部分的第二内间隔物的形状。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从基板突出并且在第一水平方向上延伸；多个纳米片，设置在所述鳍型有源区上并且在垂直方向上彼此分开；栅极线，在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸并且围绕所述鳍型有源区上的所述多个纳米片，其中所述栅极线包括插置在所述多个纳米片之间的次栅极部分和设置在所述多个纳米片的最上面的层上方的主栅极部分；源极漏极区，设置在所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且连接到所述多个纳米片；以及多个内间隔物，插置在所述栅极线和所述源极漏极区之间，其中面对所述次栅极部分的第一内间隔物的形状不同于面对所述主栅极部分的第二内间隔物的形状。
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