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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种存储器件。存储器件包括第一单元阵列堆叠、第二单元阵列堆叠和垂直接触，第一单元阵列堆叠包括第一栅极电极、第一沟道结构和分别连接到第一栅极电极并具有台阶形状的第一焊盘部分，第二单元阵列堆叠设置在第一单元阵列堆叠上并包括第二栅极电极、第二沟道结构和分别连接到第二栅极电极并具有台阶形状的第二焊盘部分，其中第二焊盘部分在第一方向上与第一焊盘部分重叠，垂直接触穿过第一焊盘部分中的任一个、在第一焊盘部分中的所述任一个下方的第一延伸部分、第二焊盘部分中的任一个和在第二焊盘部分中的所述任一个下方的第二延伸部分，以在第一方向上延伸。
主权项：1.一种存储器件，包括：第一单元阵列堆叠，包括被布置成在第一方向上彼此分开的多个第一栅极电极、穿过所述多个第一栅极电极的第一沟道结构、和分别连接到所述多个第一栅极电极的多个第一焊盘部分，其中所述多个第一焊盘部分布置为具有台阶形状；第二单元阵列堆叠，设置在所述第一单元阵列堆叠上，其中所述第二单元阵列堆叠包括布置为在所述第一方向上彼此分开的多个第二栅极电极、穿过所述多个第二栅极电极的第二沟道结构、和分别连接到所述多个第二栅极电极的多个第二焊盘部分，其中所述多个第二焊盘部分布置为具有台阶形状，且其中所述多个第二焊盘部分在所述第一方向上与所述多个第一焊盘部分重叠；以及垂直接触，穿过所述多个第一焊盘部分中的任一个、布置在所述多个第一焊盘部分中的所述任一个下方的所述多个第一栅极电极的第一延伸部分、所述多个第二焊盘部分中的任一个和布置在所述多个第二焊盘部分中的所述任一个下方的所述多个第二栅极电极的第二延伸部分，以在所述第一方向上延伸。
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