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申请/专利权人：长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司

摘要：本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板，所述阵列基板的制备方法包括步骤：提供衬底；在所述衬底上，形成多个第一金属层单元，每一所述第一金属层单元包括相互隔断的第一对位电极、第二对位电极和金属遮光层，所述第一对位电极和所述第二对位电极均位于所述金属遮光层的同一侧，且相对设置；在对应所述第一对位电极和所述第二对位电极的上方形成主动发光阵列，在对应所述金属遮光层的上方形成驱动薄膜晶体管，以得到阵列基板。本申请通过以上式实现共用制程形成驱动薄膜晶体管与主动发光阵列，减少制程次数，降低制造成本。

主权项：1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上，形成多个第一金属层单元，每一所述第一金属层单元包括相互隔断的第一对位电极、第二对位电极和金属遮光层，所述第一对位电极和所述第二对位电极均位于所述金属遮光层的同一侧，且相对设置；在对应所述第一对位电极和所述第二对位电极的上方形成主动发光阵列，在对应所述金属遮光层的上方形成驱动薄膜晶体管，以得到阵列基板；所述在对应所述第一对位电极和所述第二对位电极的上方形成主动发光阵列，在对应所述金属遮光层的上方形成驱动薄膜晶体管，以得到阵列基板的步骤包括：通过同一光罩制程，形成所述主动发光阵列的第一接触电极和第二接触电极中的一个，与所述驱动薄膜晶体管的栅极；和或通过同一光罩制程，形成所述主动发光阵列的第一接触电极和第二接触电极中的一个，与所述驱动薄膜晶体管的源极和漏极；其中，所述主动发光阵列的第二接触电极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连通；所述在对应所述第一对位电极和所述第二对位电极的上方形成主动发光阵列，在对应所述金属遮光层的上方形成驱动薄膜晶体管，以得到阵列基板的步骤中，还包括以下步骤：在所述第一对位电极和所述第二对位电极之间形成多个纳米发光二极管；在所述第一对位电极、所述第二对位电极、多个所述纳米发光二极管和所述金属遮光层上形成缓冲介质层；在所述缓冲介质层上，对应所述金属遮光层的上方形成有源层；所述通过同一光罩制程，形成所述主动发光阵列的第一接触电极和第二接触电极中的一个，与所述驱动薄膜晶体管的栅极的步骤包括：在所述缓冲介质层和所述有源层的上方形成栅极绝缘层；对应所述第一对位电极与所述纳米发光二极管上方形成第一接触孔，以暴露所述纳米发光二极管的一端；通过同一光罩制程，对应所述第一接触孔的位置形成所述主动发光阵列的第一接触电极，且与所述纳米发光二极管的一端连通，对应所述有源层的位置，形成所述驱动薄膜晶体管的栅极。

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