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申请/专利权人：福建金石能源有限公司

摘要：本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及一种正面特定钝化的背接触太阳电池及其制造方法和光伏组件，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，在硅片正面依次设置的二氧化硅、三氧化二铝、掺磷氮化硅，二氧化硅的厚度为2‑4nm，二氧化硅、三氧化二铝、掺磷氮化硅的厚度之比在1：1‑2.5：20‑55，掺磷氮化硅的有效掺磷浓度在1e18cm‑3‑5e19cm‑3。本发明具有优异的钝化作用，可以在不牺牲电压的情况下，显著降低寄生吸收损耗，提高短路电流，提升电池转换效率；且降低设备成本。

主权项：1.一种正面特定钝化的联合钝化背接触太阳电池，包括N型硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，并在第一半导体层的背面预留不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，相邻的第一半导体层之间形成第二半导体开口区，第二半导体开口区与第一半导体开口区之间的区域为间隔区；所述第一半导体层包含隧穿氧化硅层与第一掺杂多晶硅层，所述第二半导体层包含本征硅晶层与第二掺杂硅晶层，第二掺杂硅晶层为掺杂微晶层或掺杂非晶层，其特征在于，还包括在硅片正面依次设置的二氧化硅、三氧化二铝、掺磷氮化硅，二氧化硅的厚度为2-4nm，二氧化硅、三氧化二铝、掺磷氮化硅的厚度之比在1：1-2.5：20-55，掺磷氮化硅的有效掺磷浓度在1e18cm-3-5e19cm-3，第一掺杂多晶硅层以掺磷或硼计的面掺杂指数与掺磷氮化硅的面掺杂指数之比在0.5-22：1，其中，面掺杂指数是指对应层的有效掺杂浓度与该层的厚度之比；所述三氧化二铝采用原子层沉积方法形成，原子层沉积方法的条件包括：工艺温度在150-180℃之间，反应气体为三甲基铝和臭氧，第一阶段通入三甲基铝流量为2000sccm-5000sccm，反应时间为20-40s，后使用氮气吹扫腔室和管路；之后进行第二阶段，第二阶段通入臭氧流量为3000sccm-6000sccm，通入臭氧时间为15-30s，后使用氮气吹扫腔室和管路；所述第一阶段和第二阶段依次进行为一个循环反应，共进行30-80个循环反应。

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