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申请/专利权人：晶元光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种光电元件，该光电元件包含：半导体叠层包含第一半导体层，活性层形成于第一半导体层之上以及第二半导体层形成于活性层之上；多个边界裸露出部分第一半导体层，多个边界的相邻两边界构成第一半导体层的角落；绝缘层包含第一开口形成于第二半导体层之上及多个第二开口形成于多个边界的一边界裸露的第一半导体层上；第三电极，延伸覆盖于该多个第二开口上，通过多个第二开口以电连接第一半导体层；以及第四电极形成于该第二半导体层上，通过第一开口以电连接第二半导体层。
主权项：1.一种光电元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含第一半导体层，活性层形成于该第一半导体层之上以及第二半导体层形成于该活性层之上；多个边界，裸露出部分该第一半导体层，该多个边界的相邻两边界构成该第一半导体层的一角落；第一绝缘层，包含布拉格反射镜DistributedBraggReflector结构，覆盖该活性层及该第二半导体层的侧壁；第一电性电极，形成于该第一半导体层上；第二绝缘层，形成于该第一绝缘层上，包含第一开口形成于该第二半导体层之上及多个第二开口形成于该多个边界的一边界裸露的该第一半导体层上，其中该第一电性电极及该第二绝缘层接触该第一半导体层，该第二绝缘层接触该第一电性电极，且该第一绝缘层未接触该第一电性电极；第三电极，形成于该第二半导体层上，通过该多个第二开口以电连接该第一半导体层；以及第四电极，形成于该第二半导体层上，通过该第一开口以电连接该第二半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
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