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申请/专利权人：中威新能源(成都)有限公司
摘要：本发明公开了太阳电池及其制备方法和用电设备，太阳电池包括：半导体基底、第一钝化层、第二钝化层、N型掺杂微晶硅层、P型掺杂微晶硅层、第一电极和第二电极；其中，N型掺杂微晶硅层包括第一N型掺杂微晶硅层和第二N型掺杂微晶硅层，与第二N型掺杂微晶硅层相比，第一N型掺杂微晶硅层具有较小的孔隙率；和或，P型掺杂微晶硅层的结构与N型掺杂微晶硅层的结构类似。本发明的太阳电池能够抵抗空气中水汽的氧化，从而能够抑制太阳电池随搁置时间的延长其转换效率的急剧衰减，同时具有较高的短路电流和填充因子，从而提高了高效率太阳电池的稳定性。
主权项：1.一种太阳电池，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面；第一钝化层，所述第一钝化层设置在至少部分所述第一表面上；第二钝化层，所述第二钝化层设置在至少部分所述第二表面上；N型掺杂微晶硅层，所述N型掺杂微晶硅层设置在所述第一钝化层的远离所述半导体基底的至少部分表面上；P型掺杂微晶硅层，所述P型掺杂微晶硅层设置在所述第二钝化层的远离所述半导体基底的至少部分表面上；第一电极，所述第一电极与所述N型掺杂微晶硅层电接触；第二电极，所述第二电极与所述P型掺杂微晶硅层电接触；其中，所述N型掺杂微晶硅层包括第一N型掺杂微晶硅层和第二N型掺杂微晶硅层，所述第一N型掺杂微晶硅层的孔隙率小于所述第二N型掺杂微晶硅层的孔隙率；和或，所述P型掺杂微晶硅层包括第一P型掺杂微晶硅层和第二P型掺杂微晶硅层，所述第一P型掺杂微晶硅层的孔隙率小于所述第二P型掺杂微晶硅层的孔隙率。
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百度查询： 中威新能源(成都)有限公司 太阳电池及其制备方法和用电设备
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