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申请/专利权人：三星SDI株式会社
摘要：本发明公开了一种用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法。该蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，该硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合。
主权项：1.一种用于氮化硅层的蚀刻组合物，包含：无机酸或其盐；以及硅烷化合物，其中，所述硅烷化合物包括含反应性基团的第一硅烷化合物和含可溶性基团的第二硅烷化合物的混合物的聚合物、所述聚合物的反应产物、其盐、或它们的组合，其中，所述第一硅烷化合物包含选自式4-1至式4-20的化合物中的至少一种：[式4-1] [式4-2] [式4-3] [式4-4] [式4-5] [式4-6] [式4-7] [式4-8] [式4-9] [式4-10] [式4-11] [式4-12] [式4-13] [式4-14] [式4-15] [式4-16] [式4-17] [式4-18] [式4-19] [式4-20] 其中，所述第二硅烷化合物包含选自式8-1至式8-20的化合物中的至少一种：[式8-1] [式8-2] [式8-3] [式8-4] [式8-5] [式8-6] [式8-7] [式8-8] [式8-9] [式8-10] [式8-11] [式8-12] [式8-13] [式8-14] [式8-15] [式8-16] [式8-17] [式8-18] [式8-19] [式8-20]
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星SDI株式会社 用于氮化硅层的蚀刻组合物和使用其蚀刻氮化硅层的方法
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