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申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要：本发明公开了一种干蚀刻设备。干蚀刻设备包括蚀刻腔、第一电极、上部基板、第二电极及支撑构件；其中，第一电极位于蚀刻腔的一侧；上部基板位于第一电极远离所述蚀刻腔的一侧；第二电极位于蚀刻腔的另一侧，与第一电极相对设置；支撑构件一侧与第一电极连接，另一侧与上部基板连接，支撑构件与第一电极或上部基板连接的外表面设有低阻层。本发明中支撑构件可以支撑第一电极与上部基板之间的连接，同时低阻层可以减少支撑构件与第一电极及上部基板之间的摩擦，减少摩擦产生的微粒，提升产品良品率。
主权项：1.一种干蚀刻设备，其特征在于，包括：蚀刻腔；第一电极，位于所述蚀刻腔的一侧；上部基板，位于所述第一电极远离所述蚀刻腔的一侧；第二电极，位于所述蚀刻腔的另一侧，与所述第一电极相对设置；支撑构件，其一侧与所述第一电极连接，另一侧与所述上部基板连接，所述支撑构件与所述第一电极或所述上部基板连接的外表面设有低阻层，以减少所述支撑构件与所述第一电极之间的摩擦，或所述支撑构件与所述上部基板之间的摩擦；第一连接件，所述第一连接件的一端与所述上部基板连接，另一端与所述支撑构件连接；第二连接件，所述第二连接件的一端与所述第一电极连接，另一端与所述支撑构件连接；其中，所述支撑构件形成有第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接件至少部分收容于所述第一连接孔内；所述第二连接孔包括相互连通的第二收容部和第二连通部，且所述第二收容部的孔径大于所述第二连通部的孔径；所述第二连接件至少部分收容于所述第二连接孔内，所述第二连接件的一端卡设于所述第二收容部和所述第二连通部的连接处；所述第一连接孔位于所述支撑构件的中部区域，所述第二连接孔位于所述支撑构件的边缘区域。
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权利要求：
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