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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、离子化非晶硅层、源极和漏极；所述栅绝缘层覆盖于所述栅极上；所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述栅极一侧；所述离子化非晶硅层设置于所述有源层远离所述栅极一侧，所述离子化非晶硅层与所述栅绝缘层接触；所述源极和所述漏极设置于所述离子化非晶硅层远离所述栅绝缘层一侧，所述源极和所述漏极通过所述离子化非晶硅层与所述有源层耦接。
主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：栅极；覆盖于所述栅极上的栅绝缘层；设置于所述栅绝缘层远离所述栅极一侧的有源层；其中，所述有源层包括沟道区，所述沟道区包括多晶硅图案和位于所述多晶硅图案的至少一侧的非晶硅图案；所述栅绝缘层的致密度小于所述有源层的致密度，所述栅绝缘层的材料包括氧化硅；设置于所述有源层远离所述栅极一侧的离子化非晶硅层，所述离子化非晶硅层与所述栅绝缘层接触；设置于所述离子化非晶硅层远离所述栅绝缘层一侧的源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述离子化非晶硅层与所述有源层耦接；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个通过所述离子化非晶硅层与所述非晶硅图案耦接，且所述源极和所述漏极的投影位于所述离子化非晶硅层的投影范围内，且所述离子化非晶硅层的与所述非晶硅图案耦接的部分，与所述多晶硅图案无接触；设置于所述有源层远离所述栅极一侧的阻挡层，所述离子化非晶硅层靠近所述有源层的边缘搭接在所述阻挡层远离所述栅极的一侧表面上，所述阻挡层在所述薄膜晶体管所在平面上的正投影覆盖所述多晶硅图案在所述薄膜晶体管所在平面上的正投影，所述阻挡层在所述薄膜晶体管所在平面上的正投影的边缘与所述有源层在所述薄膜晶体管所在平面上的正投影的边缘重合；所述阻挡层的材料包括二氧化硅；其中，在平行于所述薄膜晶体管所在平面的方向上，所述非晶硅图案围绕所述多晶硅图案，所述源极和所述漏极与所述非晶硅图案耦接；所述非晶硅图案中位于所述多晶硅图案相对的两侧的部分的宽度相等。
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百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
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