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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。
主权项：1.一种光刻系统，包括：护罩，包括内表面；聚光镜，耦合到所述护罩并包括反射表面，其中，所述聚光镜和所述护罩限定极紫外辐射生成室；流体源，配置为容纳缓冲流体；多个质量流量控制器，每个均配置为从所述流体源接收所述缓冲流体；流体分配器，包括：多个流体入口，每个均耦合到所述质量流量控制器中的相应质量流量控制器，并且配置为从所述质量流量控制器接收所述缓冲流体；多个出口，配置为将所述缓冲流体供应到所述极紫外辐射生成室中；和彼此分离的多个流体室，每个流体室将所述入口中的相应入口耦合到所述出口中的相应出口；以及多个可调导向叶片，每个均定位成与相应的出口相邻，并且配置为将所述缓冲流体的第一部分朝着所述聚光镜引导，并且将所述缓冲流体的第二部分朝着所述护罩的内表面引导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法
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