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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：一种半导体装置及其形成方法，包括提供衬底，包括第一区和第二区邻接第一区；形成多个第一部件于衬底上且位于第一区中，以及形成第二部件于衬底上且位于第二区中；形成第一材料层于这些第一部件上方并覆盖这些第一部件；形成图案化虚置层埋置于第一材料层中；形成第二材料层于第二部件上方并覆盖第二部件，其中第二材料层与第一材料层包含不同材料；以及对第一材料层和第二材料层同时进行抛光工艺。
主权项：1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，包括一第一区和一第二区邻接该第一区；形成多个第一部件于该衬底上且位于该第一区中，以及形成一第二部件于该衬底上且位于该第二区中；形成一第一材料层于所述多个第一部件上方并覆盖所述多个第一部件；形成一图案化虚置层埋置于该第一材料层中；形成一第二材料层于该第二部件上方，其中该第二材料层与该第一材料层包含不同材料；以及对该第一材料层和该第二材料层同时进行一抛光工艺。
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百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体装置及其形成方法
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