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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：根据本发明实施例的半导体器件包括：抗穿通APT区，位于衬底上方；多个沟道构件，位于抗穿通区上方；栅极结构，围绕多个沟道构件中的每一者；源极漏极部件，邻近栅极结构；以及扩散延迟层。源极漏极部件通过扩散延迟层与抗穿通区间隔开。源极漏极部件通过扩散延迟层与多个沟道构件中的每一者间隔开。扩散延迟层是半导体材料。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：抗穿通区，位于衬底上方；多个沟道构件，位于所述抗穿通区上方；栅极结构，围绕所述多个沟道构件中的每一者；源极漏极部件，邻近所述栅极结构；扩散延迟层，所述扩散延迟层减少或者阻止掺杂剂从所述源极漏极部件至所述沟道构件和或所述抗穿通区中的扩散；以及多个内部间隔件部件，其中，所述多个沟道构件通过所述多个内部间隔件部件彼此部分地间隔开，其中，所述扩散延迟层在所述多个内部间隔件部件上方不合并，以使得所述源极漏极部件直接接触所述多个内部间隔件部件，其中，所述源极漏极部件通过所述扩散延迟层与所述抗穿通区间隔开，其中，所述源极漏极部件通过所述扩散延迟层与所述多个沟道构件中的每一者间隔开，并且其中，所述扩散延迟层包括半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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