首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种高压抗辐射加固ESD器件结构 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要:本发明公开一种高压抗辐射加固ESD器件结构,属于半导体领域,在第一P型掺杂区内设置第三P型掺杂区,并与第二P型掺杂区相切,降低寄生三极管的基区电阻,防止寄生器件在单粒子辐射情况下提前开启,避免发生单粒子闩锁效应,同时还提高了器件的维持电压。第七P型掺杂区设置于第一P型掺杂区内,位于埋氧化层上界面,其内边不超过第二P型掺杂区,提高了ESD器件背栅界面的P型浓度。本发明降低了寄生NPN三极管发射结并联电阻,提高ESD器件的抗单粒子闩锁能力,同时在总剂量辐射环境下避免寄生通道开启和背栅漏电,提高抗总剂量辐射能力。

主权项:1.一种高压抗辐射加固ESD器件结构,其特征在于,包括P型衬底11、有源区21、场区22、埋氧化层23、场氧化层24、第一N型掺杂区31、第二N型掺杂区32、第三N型掺杂区33、第一P型掺杂区41、第二P型掺杂区42、第三P型掺杂区43、第四P型掺杂区44、第五P型掺杂区45、第六P型掺杂区46、第七P型掺杂区47;器件有源区及内部设置的区域均为闭合结构,第一N型掺杂区31内设置第二N型掺杂区32和第六P型掺杂区46;第二P型掺杂区42内设置第五P型掺杂区45;第一P型掺杂区41内设置第三P型掺杂区43、第四P型掺杂区44、第三N型掺杂区33;第一P型掺杂区41的内边界与第一N型掺杂区31齐边,并设置于第二P型掺杂区42和第五P型掺杂区45内部;第七P型掺杂区47设置于第一P型掺杂区41内,其内边不超过第二P型掺杂区42;第三P型掺杂区43的内边与第二P型掺杂区42的外边齐边;第一P型掺杂区41、第三P型掺杂区43、第四P型掺杂区44、第七P型掺杂区47的外边与有源区21边界交叠并超出有源区21边界。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种高压抗辐射加固ESD器件结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

相关技术
相关技术
相关技术
相关技术