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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
摘要：一种增强型氮化镓HEMT器件及制备方法，器件自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层一端上表面设置有漏电极，另一端设置有两个相邻凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，远离漏电极的凹槽内设置有第一源电极，靠近漏电极的槽内设置有第二源电极及材料层，材料层设置在靠近第一源电极的一侧，势垒层在漏电极与第二源电极之间的上表面设置有栅电极；制备方法包括：先清洗衬底并在衬底上依次生长复合缓冲层、沟道层和势垒层，再次清洗后进行台面隔离，并在势垒层上刻蚀两个凹槽至沟道层，然后淀积材料层，并生长第一源电极、第二源电极、漏电极及栅电极，最后淀积钝化层；本发明具有栅驱动能力强、刻蚀损伤低和成本低的特点。
主权项：1.一种增强型氮化镓HEMT器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底层1、复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4，势垒层4一端上表面设置有漏电极5，势垒层4另一端设置有两个相邻凹槽，凹槽底端穿透势垒层4至沟道层3中上部，远离漏电极5的凹槽内设置有第一源电极10，靠近漏电极5的槽内设置有第二源电极8及材料层9，材料层9设置在靠近第一源电极10的一侧，势垒层4在漏电极5与第二源电极8之间的上表面设置有栅电极7；所述沟道层3与势垒层4之间的界面形成异质结，异质结极化在沟道层3一侧形成二维电子气；所述第一源电极10和第二源电极8与二维电子气的接触为欧姆接触，漏电极5与势垒层4的接触为欧姆接触；所述栅电极7与势垒层4的接触为肖特基接触。
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