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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明提供了一种纵向β氧化镓NPN晶体管的制备方法。本发明采用了纵向器件结构，在器件的顶部引出发射极和基极，在器件的底部引出集电极；采用铁电层自发极化形成的场域p型掺杂层，规避了现阶段氧化镓p型掺杂难以实现的问题；其中铁电层在器件结构内部既充当p型掺杂实现，又作为基极的引出电极，基极的引出电极采用通孔工艺。本发明制备的纵向β氧化镓NPN晶体管，在室温2.5V下，饱和电流8Amm²、导通电阻134.2Ω.mm、三端击穿电压985V，具有优异的导通状态性能。
主权项：1.一种纵向β氧化镓NPN晶体管的制备方法，其纵向结构包括：自下而上为集电极、n+衬底β氧化镓、n-外延β氧化镓、铁电层、n+掺杂β氧化镓、绝缘介质、基极、发射极，其操作步骤为：步骤1：在n+衬底β氧化镓淀积一层集电极金属；步骤2：在n+衬底β氧化镓采用有机化学气相淀积工艺淀积一层n-外延β氧化镓；CVD材料为Si和氧化镓单晶，在800-850℃，1-1.5MPa条件下；步骤3：在n-外延β氧化镓上淀积一层阻挡层，刻蚀铁电层通孔，刻蚀形成铁电层区域，并淀积铁电层；刻蚀采用湿式化学溶液刻蚀，溶液为硫酸和双氧水混合液，硫酸配比为1:1，双氧水溶液配比为30-35%，硫酸和双氧水配比为1:2-3；步骤4：去除原阻挡层，在n-外延β氧化镓采用有机化学气相淀积工艺淀积一层n+掺杂β氧化镓；CVD材料为Si和氧化镓单晶，在800-850℃，1-1.5MPa条件下；步骤5：在n+掺杂β氧化镓上淀积一层发射极金属；步骤6：在发射极金属上形成阻挡层，刻蚀绝缘介质通孔，刻蚀形成绝缘介质区域，并淀积绝缘介质；刻蚀采用湿式化学溶液刻蚀，溶液为硫酸和双氧水混合液，硫酸配比为1:1，双氧水溶液配比为30-35%，硫酸和双氧水配比为1:2-3；步骤7：去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀基极金属通孔，刻蚀形成基极金属区域，并淀积积极金属，刻蚀采用湿式化学溶液刻蚀，溶液为硫酸和双氧水混合液，硫酸配比为1:1，双氧水溶液配比为30-35%，硫酸和双氧水配比为1:2-3。
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