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申请/专利权人：苏州泰晶微半导体有限公司

摘要：本发明公开一种碳化硅功率MOSFET器件，包括至少2个器件单胞，所述器件单胞进一步包括：N+型衬底层和位于N+型衬底层上部的N‑漂移层，所述N‑漂移层中上部具有一P‑型基区，位于所述P‑型基区上部具有在水平方向依次连接的左N+体区、P+型源极区、右N+体区；N‑漂移层上表面覆盖有第一金属层，此第一金属层与第一多晶硅N型块区电连接，N‑漂移层位于相邻所述器件单胞之间区域内具有一P+保护柱，所述P+保护柱的下端延伸至N‑漂移层的中部。本发明碳化硅功率MOSFET器件遏制了尖峰电压的产生，使其电压应用区间尽可能地靠近额定电压，扩展了应用场景和提高了可靠性。

主权项：1.一种碳化硅功率MOSFET器件，其特征在于：包括至少2个器件单胞（17），所述器件单胞（17）进一步包括：N+型衬底层（1）和位于N+型衬底层（1）上部的N-漂移层（2），所述N-漂移层（2）中上部具有一P-型基区（3），位于所述P-型基区（3）上部具有在水平方向依次连接的左N+体区（41）、P+型源极区（5）、右N+体区（42），所述左N+体区（41）、右N+体区（42）各自与P+型源极区（5）相背的一侧与N-漂移层（2）之间通过P-型基区（3）隔离，所述左N+体区（41）、P-型基区（3）左侧各自上表面均覆盖有一第一栅氧化层（61），所述右N+体区（42）、P-型基区（3）右侧各自上表面均覆盖有一第二栅氧化层（62）；所述第一栅氧化层（61）、第二栅氧化层（62）各自上表面均覆盖有一多晶硅栅极层（7），此多晶硅栅极层（7）上表面覆盖有一介质层（8），一源极金属层（9）与P+型源极区（5）电接触，一栅极金属层（10）与多晶硅栅极层（7）电接触，一漏极金属层（11）与N+型衬底层（1）的下表面电接触；所述N-漂移层（2）上表面覆盖有第一金属层（12），此第一金属层（12）与第一多晶硅N型块区（131）电连接，一第一多晶硅P型块区（132）与所述多晶硅栅极层（7）电连接，所述第一多晶硅N型块区（131）与第一多晶硅P型块区（132）之间依次设置有若干对由第二多晶硅P型块区（141）、第二多晶硅N型块区（142）连接组成的块区对（14），每对块区对（14）中第二多晶硅P型块区（141）与相邻块区对（14）中第二多晶硅N型块区（142）连接；所述N-漂移层（2）位于相邻所述器件单胞（17）之间区域内具有一P+保护柱（16），此P+保护柱（16）的上端延伸至N-漂移层（2）的上表面，所述P+保护柱（16）的下端延伸至N-漂移层（2）的中部，所述N-漂移层（2）与P-型基区（3）的深度比为10：6~8，所述左N+体区（41）、右N+体区（42）各自的深度均大于P+型源极区（5）的深度，所述左N+体区（41）、右N+体区（42）与P-型基区（3）的深度比为10：20~35。

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