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申请/专利权人：诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社

摘要：本发明涉及一种有机半导体层，所述有机半导体层包含：‑式1化合物：和‑选自有机金属络合物或金属卤化物的掺杂剂，所述有机半导体层适合用作有机电子器件的有机半导体层；并涉及其制造方法。

主权项：1.一种有机半导体层，所述有机半导体层包含：-式1化合物： 其中X为O、S或Se；Ar1选自C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C40杂芳基，其中所述取代的C6至C12芳基和取代的C3至C40杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷氧基、部分氘化或全氘化的C1至C16烷基、C3至C16支链烷基、C3至C16环状烷基、C3至C16支链烷氧基、C3至C16环状烷氧基、部分氘化或全氘化的C1至C16烷氧基、C6至C24芳基、C3至C25杂芳基、-PXR3R4、D、F或CN，其中R3、R4独立地选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷氧基、部分氘化或全氘化的C1至C16烷基、部分氘化或全氘化的C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基、取代或未取代的C6至C24芳基、取代或未取代的C3至C24杂芳基，或R1和R2选自取代或未取代的C6至C24芳基和取代或未取代的C3至C24杂芳基，并且通过单键彼此连接从而形成5元环，其中所述取代的C6至C24芳基和取代的C3至C24杂芳亚基的取代基选自H、D、C1至C16烷基、部分氟化或全氟化的C1至C16烷基、部分氘化或全氘化的C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、C1至C16硫代烷基、C3至C16支链烷基、C3至C16环状烷基、C3至C16支链烷氧基、C3至C16环状烷氧基、C3至C16支链硫代烷基、C3至C16环状硫代烷基、C6至C24芳基和C3至C25杂芳基；以及-选自有机金属络合物或金属卤化物的掺杂剂。

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