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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底、沟槽以及字线，衬底包括隔离结构和有源区，有源区包括第一类型的离子；沟槽位于有源区内，沟槽的内表面包括相邻设置的反型掺杂层和氧化层，反型掺杂层位于氧化层的上方；字线位于沟槽内；其中，反型掺杂层包括第二类型的离子，第一类型与第二类型相反。通过在沟槽的槽壁内形成有与有源区掺杂类型相反的反型掺杂层，从而形成浅结即PN结来固定有源区，抵消部分漏端电压，改善了漏端耗尽区的峰值电场，进而改善热载流子隧穿，以此改善半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括隔离结构和有源区，所述有源区包括第一类型的离子；沟槽，所述沟槽位于所述有源区内，所述沟槽的内表面包括相邻设置的反型掺杂层和氧化层，所述反型掺杂层位于所述氧化层的上方；字线，所述字线位于所述沟槽内；其中，所述反型掺杂层包括第二类型的离子，所述第一类型与所述第二类型相反。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构的制造方法
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