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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
摘要：一种微电子器件100，其包括门控石墨烯组件102。门控石墨烯组件102具有包含一层或更多层石墨烯的石墨层114。石墨层114具有沟道区域116、邻近沟道区域116的第一接触区域118和邻近沟道区域116的第二接触区域120。图案化六方氮化硼hBN层128被设置在沟道区域116上方的石墨层114上。栅极130位于沟道区域116上方、图案化hBN层128之上。第一连接122在第一接触区域118中被设置在石墨层114上，并且第二连接124在第二接触区域120中被设置在石墨层114上。图案化hBN层128没有完全延伸到第一连接122之下，也没有完全延伸到第二连接124之下。
主权项：1.一种微电子器件，其包括：衬底，其具有延伸至所述衬底的顶部表面的介电材料；门控石墨烯组件，其包括：在所述介电材料之上的石墨层，所述石墨层包括至少一层石墨烯，所述石墨层具有沟道区域、邻近所述沟道区域的第一接触区域和邻近所述沟道区域的第二接触区域；在所述沟道区域之上的所述石墨层上的图案化六方氮化硼层即图案化hBN层；以及在所述图案化hBN层之上和所述沟道区域上方的栅极；在所述石墨层上的第一连接，所述第一连接在所述第一接触区域中接触所述石墨层，其中，所述图案化hBN层没有完全在所述第一连接之下延伸；在所述石墨层上的第二连接，所述第二连接在所述第二接触区域中接触所述石墨层，其中，所述图案化hBN层没有完全在所述第二连接之下延伸；在所述沟道区域下方具有第一导电类型的半导体材料；在所述第一接触区域下方具有相反的第二导电类型的半导体材料的第一接触场区域；以及在所述第二接触区域下方具有所述第二导电类型的半导体材料的第二接触场区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 石墨烯与氮化硼异质结构器件的集成
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