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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：在此描述了整流器器件。根据一个实施例，整流器器件包括掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体以及布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂的一个或多个阱区。由此，一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结。整流器器件进一步包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子被通过第一MOS晶体管和二极管的负载电流路径连接，二极管与负载电流路径并联。在整流器器件的操作期间，在阳极端子和阴极端子之间施加有交流输入电压。整流器器件包括控制电路，该控制电路被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间二极管被正向偏置，其中第一MOS晶体管和二极管被集成在半导体本体中并且控制电路至少部分地被布置在一个或多个阱区中。进一步地，整流器器件包括开关电路，该开关电路被配置为只要交流输入电压高于门限值，就将一个或多个阱区中的第一阱区与阳极端子电连接，并且只要交流输入电压处于或低于门限值，就将第一阱区的电压朝向交流输入电压拉动。
主权项：1.一种整流器器件，包括：掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体；一个或多个阱区，其被布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂，所述一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结作为二极管；阳极端子和阴极端子，被通过所述二极管和第一MOS晶体管的负载电流路径连接，所述二极管并联连接于负载电流路径，其中在阳极端子和阴极端子之间可操作地施加有交流输入电压；控制电路，其被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间所述二极管被正向偏置，第一MOS晶体管和所述二极管被集成在半导体本体中，并且控制电路至少部分地被布置在所述一个或多个阱区中；和开关电路，其被配置为只要交流输入电压高于预定的门限值，就将所述一个或多个阱区中的第一阱区与阳极端子电连接，并且只要交流输入电压处于或低于预定的门限值，就将第一阱区的电压朝向交流输入电压拉动。
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百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 整流器器件
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