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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本申请公开了HEMT器件。HEMT器件包括：衬底、缓冲层、源区部分、漏区部分分别叠置在缓冲层上的两侧缘；沟道体用以开设相互独立的纳米沟槽，在源区部分与漏区部分之间；源电极设置在源区部分上；漏电极设置在漏区部分上；栅电极位于源电极与漏电极之间，且包覆在沟道体的外周；源电极与源区部分之间、漏电极与漏区部分之间、栅电极与沟道体之间，各叠设有Hight‑k介质层。本HEMT器件中纳米沟槽之间相互独立，沟道之间无耦合效应，不会降低沟道2DEG浓度，实现高输出功率；增设Hight‑k介质层，减小反向漏电；使用腐蚀InAlN牺牲层或Ga2O3牺牲层的方法释放纳米沟道，不会对纳米沟道造成损伤。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层；源区部分，叠置在所述缓冲层上的一侧缘；漏区部分，叠置在所述衬底上的另一侧缘，且与所述源区部分相对设置，两者位于所述衬底上方的同一表面上至少一沟道体，用以开设相互独立的纳米沟槽，所述沟道体叠置在所述源区部分与所述漏区部分之间；源电极，设置在所述源区部分上；漏电极，设置在所述漏区部分上；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间，且包覆在所述沟道体的外周；其中，所述源电极与所述源区部分之间、所述漏电极与所述漏区部分之间、所述栅电极与沟道体之间，各叠设有Hight-k介质层。
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