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申请/专利权人：湖南德智新材料有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种制备空心SiC针的方法和由该方法制备得到的空心SiC针。所述方法包括如下步骤：1在石墨基体上沉积SiC涂层；2将步骤1得到的产品置于加热设备中；3将所述加热设备抽真空至10Pa‑100Pa，以3℃min‑20℃min的升温速率，升温至温度为600℃‑900℃，保温10min‑60min；4在步骤3的所述温度下，以100mLmin‑500mLmin的速度向所述加热设备中持续通入第一气氛，控制压力为5000Pa‑20000Pa，时间为10min‑90min，所述第一气氛包括空气和氧气中的至少一种；5重复步骤3和步骤430次‑50次。本发明的方法流程简单，容易实现大规模生产。由本发明的方法制备得到的空心SiC针石墨残留少，使用寿命长，良率高。
主权项：1.一种制备空心SiC针的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1在石墨基体上沉积SiC涂层；2将步骤1得到的产品置于加热设备中；3将所述加热设备抽真空至10Pa-100Pa，以3℃min-20℃min的升温速率，升温至温度为600℃-900℃，保温10min-60min；4在步骤3的所述温度下，以100mLmin-500mLmin的速度向所述加热设备中持续通入第一气氛，控制压力为5000Pa-20000Pa，时间为10min-90min，所述第一气氛包括空气和氧气中的至少一种；5重复步骤3和步骤430次-50次；步骤4中，所述向所述加热设备中持续通入的第一气氛的速度为v，所述时间为t，步骤5中所述重复步骤3和步骤4的次数为n；v、t和n满足：200≤v×t≤550。
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权利要求：
百度查询： 湖南德智新材料有限公司 一种空心SiC针及其制备方法
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