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申请/专利权人：甬江实验室
摘要：本发明提供一种石墨基座表面SiC涂层的修补方法。首先，利用热解后残余碳含量高的聚合物与碳化硅填料配成的复合物填补石墨基座表面SiC涂层受损处，通过热处理将所述聚合物碳化形成多孔结构；然后，采用硅单质与聚碳硅烷形成的浆料涂敷在碳化后的聚合物与碳化硅填料的表面，并于单质硅熔点以上进行熔渗处理。利用该方法能够在受损处形成高致密的、与周围结构具有高结合力的SiC修补层，能够延长石墨基座使用寿命。
主权项：1.一种石墨基座表面SiC涂层的修补方法，其特征在于，包括以下步骤：1在石墨基座表面SiC涂层的受损处填补由热解后残余碳含量高的聚合物与碳化硅填料配成的复合物；然后加热至所述复合物碳化形成多孔结构；2将硅单质与聚碳硅烷形成的浆料涂敷在碳化后的聚合物与碳化硅填料的表面，在单质硅熔点以上的温度进行熔渗处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 甬江实验室 一种石墨基座表面SiC涂层的修补方法
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