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高性能可控硅整流器器件 

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申请/专利权人:格芯(美国)集成电路科技有限公司

摘要:本公开涉及半导体结构,更具体地说,涉及高性能可控硅整流器SCR器件和制造方法。该结构包括:第一阱,其位于半导体衬底中;第二阱,其位于半导体衬底中且与第一阱相邻;多个浅沟槽隔离结构,其延伸到第一阱和第二阱中;以及深沟槽隔离结构,其位于多个浅沟槽隔离结构之间,并且延伸到半导体材料中比多个浅沟槽隔离结构更深。

主权项:1.一种结构,包括:第一阱,其位于半导体衬底中;第二阱,其位于所述半导体衬底中且与所述第一阱相邻;多个浅沟槽隔离结构,其延伸到所述第一阱和所述第二阱中;以及深沟槽隔离结构,其位于所述多个浅沟槽隔离结构之间,并且延伸到所述半导体材料中比所述多个浅沟槽隔离结构更深。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 格芯(美国)集成电路科技有限公司 高性能可控硅整流器器件

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